GaNパワーデバイス・高輝度LED用基板
GaN on SiC/Si
テンプレート基板 (2~6インチ)
GaNパワーデバイス・高輝度LED用基板
GaN on SiC/Si
テンプレート基板 (2~6インチ)
GaN(窒化ガリウム)用基板である3C-SiC(111)ヘテロエピタキシャルウェーハは、シリコンウェーハ上に独自のエピタキシャル成膜技術を用いSiCをヘテロエピタキシャル成長させた、GaNの成長に適した基板です。GaNパワーデバイスおよびGaN LED向けにバッファー層を簡略化でき、かつシリコンウェーハを下地基板として用いるため、最大8インチの大口径のSiC基板を量産して提供することができます。また、『3C-SiC on Si基板』へのGaNエピ成長のニーズにお応えし、最大6インチのGaNテンプレート基板を量産して提供することができます。
- 2インチから8インチまでご用意できます
- GaNの成膜に適した基盤です
・メルトバックエッチングが起きません
・SiCはGaNとの格子整合性がよく、容易にGaNの成膜が可能です - 薄い超格子バッファーや、さらにシンプルなバッファー構造でGaNエピ層が実現できます
- レーザーリフトオフ(LLO)プロセス不要の高輝度縦型LED構造が実現できる可能性があります
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断面模式図
SEM断面写真
エア・ウォーターが独自開発したVCE装置により、高い結晶性を有した3C-SiC(111) エピタキシャル膜が実現できます。
(SiC膜厚 3.9 um にて462 arcsecと世界トップレベルの結晶性)
- 2インチから6インチまでご用意できます
- 低クラック密度のGaN層をご提供できます
- 結晶性の良い(XRC半値幅)GaNエピを実現できます
- 弊社でのGaN-HEMT活性層成長も可能です
- SiC/Si界面にSiO2層(耐圧アシスト層、光反射層として利用可)を挿入することも可能です
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断面模式図
平面SEM写真
XRC-FWHM GaN(0004): 433 arcsec(Tilt) |
XRC-FWHM GaN(10-12): 776 arcsec(Twist) |