GaNパワーデバイス・高輝度LED用基板

　GaN on SiC/Si
　テンプレート基板 (2～6インチ)

　GaNパワーデバイス・高輝度LED用基板

　GaN on SiC/Si
　テンプレート基板 (2～6インチ)

GaN（窒化ガリウム）用基板である3C-SiC（111）ヘテロエピタキシャルウェーハは、シリコンウェーハ上に独自のエピタキシャル成膜技術を用いSiCをヘテロエピタキシャル成長させた、GaNの成長に適した基板です。GaNパワーデバイスおよびGaN LED向けにバッファー層を簡略化でき、かつシリコンウェーハを下地基板として用いるため、最大8インチの大口径のSiC基板を量産して提供することができます。また、『3C-SiC on Si基板』へのGaNエピ成長のニーズにお応えし、最大6インチのGaNテンプレート基板を量産して提供することができます。

3C-SiC（111） on Si エピタキシャル基板について

  • 2インチから8インチまでご用意できます
  • GaNの成膜に適した基盤です
    ・メルトバックエッチングが起きません
    ・SiCはGaNとの格子整合性がよく、容易にGaNの成膜が可能です
  • 薄い超格子バッファーや、さらにシンプルなバッファー構造でGaNエピ層が実現できます
  • レーザーリフトオフ（LLO）プロセス不要の高輝度縦型LED構造が実現できる可能性があります

基本仕様

Diameter 2"～8" diameter
Epi film 2.0～3.5 um-thick SiC（111） layer
Crystal XRC-FWHM（SiC（111）, ω-scan） 500～800 arcsec
Applications GaNパワーデバイス、LED、MEMS、フォトニック結晶、人工光合成/光触媒、弾性表面波フィルター、ダイアモンドやZnO用ヘテロエピタキシャル基板等

製品外観（8インチ）

断面模式図

SEM断面写真

3C-SiC（111） on Si XRC-FWHM（SiC（111）, ω-scan）

エア・ウォーターが独自開発したVCE装置により、高い結晶性を有した3C-SiC（111） エピタキシャル膜が実現できます。
（SiC膜厚 3.9 um にて462 arcsecと世界トップレベルの結晶性）

GaN on SiC/Siテンプレート基板について

  • 2インチから6インチまでご用意できます
  • 低クラック密度のGaN層をご提供できます
  • 結晶性の良い（XRC半値幅）GaNエピを実現できます
  • 弊社でのGaN-HEMT活性層成長も可能です
  • SiC/Si界面にSiO2層（耐圧アシスト層、光反射層として利用可）を挿入することも可能です

基本仕様（6インチの場合）

成膜構造 2 μm厚GaN（0001）/1.5 μm窒化物バッファ/SiC（111）/Si-sub.
Si下地基板厚 900 μm
Warp/Bow ≦90 μm
膜厚（GaN最表層） 2.0±0.5 μm
XRC FWHM GaN（0004）≦700 arcsec
GaN（10-12）≦1000 arcsec
クラック ≦5本（EE5 mm）

製品外観（6インチ型）

断面模式図

平面SEM写真

6インチ GaN on SiC/Si基板のXRC（X線ロッキングカーブ） 評価例

XRC-FWHM GaN（0004）: 433 arcsec（Tilt）

XRC-FWHM GaN（10-12）: 776 arcsec（Twist）