このたび、当社が手掛ける「GaN on SiC on Si 基板」が、電子デバイス産業新聞の主催する「半導体・オブ・ザ・イヤー2021」の半導体電子材料部門においてグランプリを受賞しました。

 

「半導体・オブ・ザ・イヤー」は、本年で27回目を迎え、半導体業界の優れた技術や製品を記者投票によって選定し、表彰するものです。選定にあたっては、開発の斬新性、量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などが基準となります。

 

当社が保有する独自技術によって製造した「SiC on Si 基板」上に、厚いGaN層を成長させた、新しいGaN積層構造を確立し、低コストかつ高性能な高周波トランジスタを製造できる基板材料の構造開発に成功しました。この開発技術が実用化することで、従来よりも低コストでの無線通信の高速化が可能となり、第5世代移動通信システム(5G)の普及が加速するとともに、5G サービスにおけるコストパフォーマンスの改善に大きく貢献することが評価され、今回の受賞となりました。

 

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2020年11月26日 低コスト且つ高性能な高周波トランジスタを製造できる新しいGaN(窒化ガリウム)積層構造を開発
2020年4月12日 世界で初めてとなる「SiC on Si 基板」を用いたパワートランジスタ用GaN 基板の実用化レベルでの開発について