その他の事業

GaN on SiC/Si基板

GaNパワーデバイス・高輝度LED用基板

GaN on SiC/Siテンプレート基板 (2~6インチ)

エア・ウォーターでは、従来から生産・提供を続けてきたGaN下地用の『3C-SiC on Si基板』に加えて、2013年4月より、『2" ~6" GaN on SiC/Siテンプレート基板』の提供を新たに開始しました。
『3C-SiC on Si基板』へのGaNエピ成長のニーズにお応えし、最大6インチのGaNテンプレート基板を量産して提供することができます。

製品の特長

  • 2インチから6インチまでご用意できます
  • 低クラック密度のGaN層をご提供できます
  • 結晶性の良い(XRC半値幅)GaNエピを実現できます
  • 弊社でのGaN-HEMT活性層成長も可能です
  • SiC/Si界面にSiO2層(耐圧アシスト層、光反射層として利用可)を挿入することも可能です

GaN on SiC/Siテンプレート基板について

基本仕様(6インチの場合)

成膜構造 2 μm厚GaN(0001)/1.5 μm窒化物バッファ/SiC(111)/Si-sub.
Si下地基板厚 900 μm
Warp/Bow ≦90 μm
膜厚(GaN最表層) 2.0±0.5 μm
XRC FWHM GaN(0004)≦700 arcsec
GaN(10-12)≦1000 arcsec
クラック ≦5本(EE5 mm)

製品外観(6インチ型)

断面模式図

平面SEM写真

6インチ GaN on SiC/Si基板のXRC(X線ロッキングカーブ) 評価例

XRC-FWHM GaN(0004): 433 arcsec(Tilt)

XRC-FWHM GaN(10-12): 776 arcsec(Twist)