その他の事業

3C-SiC on Si基板

GaNパワーデバイス・高輝度LED用基板

3C-SiC on Siヘテロエピウェーハ (2~8インチ)

GaN(窒化ガリウム)用基板である3C-SiC(111)ヘテロエピタキシャルウェーハは、シリコンウェーハ上に独自のエピタキシャル成膜技術を用いSiCをヘテロエピタキシャル成長させた、GaNの成長に適した基板です。GaNパワーデバイスおよびGaN LED向けにバッファー層を簡略化でき、かつシリコンウェーハを下地基板として用いるため、最大8インチの大口径のSiC基板を量産して提供することができます。

製品の特長

  • 2インチから8インチまでご用意できます
  • GaNの成膜に適した基盤です
    • ・メルトバックエッチングが起きません
    • ・SiCはGaNとの格子整合性がよく、容易にGaNの成膜が可能です
  • 薄い超格子バッファーや、さらにシンプルなバッファー構造でGaNエピ層が実現できます
  • レーザーリフトオフ(LLO)プロセス不要の高輝度縦型LED構造が実現できる可能性があります

3C-SiC(111) on Si エピタキシャル基板について

基本仕様

Diameter 2"~8" diameter
Epi film 2.0~3.5 um-thick SiC(111) layer
Crystal XRC-FWHM(SiC(111), ω-scan) 500~800 arcsec
Applications GaNパワーデバイス、LED、MEMS、フォトニック結晶、人工光合成/光触媒、弾性表面波フィルター、ダイアモンドやZnO用ヘテロエピタキシャル基板等

製品外観(8インチ)

断面模式図

SEM断面写真

3C-SiC(111) on Si XRC-FWHM(SiC(111), ω-scan)

エア・ウォーターが独自開発したVCE装置により、高い結晶性を有した3C-SiC(111) エピタキシャル膜が実現できます。
(SiC膜厚 3.9 um にて462 arcsecと世界トップレベルの結晶性)