VCE

VCE(Vacuum Chemical Epitaxy)装置は、米国シェブロンリサーチ社から導入した技術コンセプトに基づき、超高真空技術、超高純度ガス供給技術、自動制御システム、安全管理システム等を駆使して開発した、エピタキシャル装置です。超高真空での成膜ですので、プロセス温度の低温化が可能、微細な膜厚制御が可能、スケールアップが容易、低温での選択成長が可能です。

【プロセス保証例】

• Si膜厚均一性：±2.5～5%（基板温度600～800℃）
• Si選択成長（対酸化膜）：選択成長膜厚100nm（基板温度650℃）
• Si選択成長（対窒化膜）：選択成長膜厚40nm（基板温度670℃）
• SiGe成長（Ge組成0～18%基板温度550℃）
• SiGe低温選択成長（対酸化膜）：選択成長膜厚50nm
  （基板温度550℃以下)、GeH4を用いないプロセス可能
• SiGeC成長：C濃度0～1.5%（基板温度550℃）
• SiC成長：SiC/SiO2/Si（SiC膜厚150nm基板温度1100℃）
• ALD（Atomic Layer Deposition）：TiN、TaN、VN
• GaAs成長：GaAs on GaAs 基板温度700℃　50nm/min