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エレクトロニクス装置

高真空エピタキシャル成長装置「VCE」

化合物半導体の薄膜形成に適したデバイス製造技術

エア・ウォーターでは、次世代半導体プロセスにおける薄膜形成に対応した高真空エピタキシャル成長装置「VCE(Vacuum Chemical Epitaxy)」を提案しています。
超高真空技術、超高純度ガス供給技術を搭載した同装置は、UHV(Ultra High Vacuum)-CVD装置として、Si(シリコン)やSiGe(シリコン・ゲルマニウム)のエピタキシャル膜をはじめとして、GaAs(ガリウムヒ素)などの各種化合物半導体の薄膜形成に適した次世代半導体デバイス製造装置となっています。

特長・用途

プロセス温度の低温化が可能
半導体デバイスの微細化に伴い、基板製造のプロセス温度はより低温化が求められていますが、VCE装置は、超高真空のプロセスを用いることによって、SiやSiGeなどの半導体材料においても比較的低温領域でのエピタキシャル成長を実現しており、新しいデバイス製造に活用できる可能性を秘めた技術となっています。
ALDへの対応
原子層を1層ずつ成膜するALD(Atomic Layer Deposition)成長にも対応が可能です。有機原料を成長チャンバーに導入する場合、チャンバー内壁およびシャワーヘッド部を加熱コントロールする機能を加えることによって、有機原料の凝集を抑えることが出来るなど、化合物半導体の精密成膜も行うことができます。

仕様

成長チャンバー仕様 到達真空度 10-8Paオーダー以下
ウェハーサイズ ~Ф300mm
チャンバー材質 SUS316内面研磨
壁面水冷ジャケットによるコールドウォール
または、壁面高温オイル循環による温度制御~300℃
基板加熱 抵抗輻射加熱方式(特殊PBNヒーター)
ヒーター昇温速度MAX200℃/min以上
ウェハーフェースダウン方式
原料ガス SiH4、Si2H6、GeH4、PH3、B2H6、MOガス
ローディング室仕様 到達真空度 10-6Paオーダー以下
チャンバー材質 アルミ製内面化学研磨
搬送ロボット 2軸真空搬送ロボット
ロードロック室仕様 到達真空度 10-6Paオーダー以下
チャンバー材質 アルミ製内面化学研磨
カセットエレベーター 25段収納可能
Peekまたは石英カセット対応

適応プロセス保証例

Si膜厚均一性 ±2.5~5%(基板温度600~800℃)
Si選択成長(対酸化膜) 選択成長膜厚100nm(基板温度650℃)
Si選択成長(対窒化膜) 選択成長膜厚40nm(基板温度670℃)
SiGe成長 Ge組成0~18%(基板温度550℃)
SiGe低温選択成長(対酸化膜) 選択成長膜厚50nm(基板温度550℃以下)
SiGeC成長 C濃度0~1.5%(基板温度550℃)
ALD(Atomic Layer Deposition) TiN、TaN、VN
GaAs成長 GaAs on GaAs 基板温度700℃ 50nm/min

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